2024-03-27
硅外延層和襯底是半導(dǎo)體制造過程中的兩個重要組成部分。襯底是半導(dǎo)體芯片制造的基礎(chǔ)，主要由單晶硅材料制成。硅外延層是在襯底上加工生長的一層硅材料，其材料特性與襯底相同。二者在成份、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上都有所不同。
襯底，作為半導(dǎo)體單晶材料制成的晶圓片，它既可以直接進(jìn)入晶圓制造流程，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件；也可通過外延工藝加工，產(chǎn)出外延片。半導(dǎo)體襯底就像一塊“地基”，它支撐著整個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，確保它不會破裂或損壞。同時(shí)，襯底本身也具備一些特殊的電學(xué)、光學(xué)和機(jī)械特性，這些特性對于半導(dǎo)體的性能至關(guān)重要。
如果把集成電路比作建筑高樓大廈，那么襯底無疑是那穩(wěn)固的地基。為確保其支撐作用的發(fā)揮，這些材料在晶體結(jié)構(gòu)上必須展現(xiàn)出高度的一致性，如同高純度的單晶硅，其純凈與完美是構(gòu)建堅(jiān)固地基的基石。只有當(dāng)?shù)鼗鶊?jiān)實(shí)可靠，才能確保上方建筑的穩(wěn)固與完美。簡單來說，沒有合適的襯底，我們就無法構(gòu)建出穩(wěn)定且性能良好的半導(dǎo)體器件。 
外延，是指在經(jīng)過精心切磨拋光的單晶襯底上，精準(zhǔn)生長一層全新單晶的過程。這層新單晶既可與襯底材質(zhì)相同（同質(zhì)外延），也可不同（異質(zhì)外延）。由于新生單晶層嚴(yán)格遵循襯底晶相延伸生長，因此被稱為外延層，其厚度通常控制在幾微米級別。以硅為例，外延生長即在特定晶向的硅單晶襯底上，形成一層晶向一致、電阻率和厚度各異、晶格結(jié)構(gòu)完整的新晶體。經(jīng)過外延生長的襯底則被稱為外延片，其核心價(jià)值在于外延層，而器件制作正是圍繞這一層展開。
外延片的價(jià)值體現(xiàn)在其巧妙的材料組合上。例如，通過在成本較低的硅片上生長一層薄薄的GaN外延，便能以相對低廉的第一代半導(dǎo)體材料為襯底，部分實(shí)現(xiàn)昂貴且性能卓越的第三代半導(dǎo)體寬禁帶特性，實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比。然而，異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)也伴隨著一系列挑戰(zhàn)，如晶格失配、溫度系數(shù)不一致及熱傳導(dǎo)不良等問題，如同將腳手架搭建在塑料地基上，不同材質(zhì)在溫度變化時(shí)會產(chǎn)生膨脹收縮差異，且硅的導(dǎo)熱性能并不理想。
同質(zhì)外延，即在襯底上生長與襯底材料相同的外延層，其意義在于進(jìn)一步提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。盡管材料相同，但通過外延處理，晶圓表面的材料純度和均勻度得以顯著提升。相比機(jī)械拋光的拋光片，外延片表面更為平整、潔凈，微缺陷和雜質(zhì)大幅減少，電阻率更加均勻，對表面顆粒、層錯、位錯等缺陷的控制也更加精確。因此，外延技術(shù)不僅優(yōu)化了產(chǎn)品性能，更確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定與可靠。
總結(jié)： 在現(xiàn)代電子、光電子、微電子和信息技術(shù)領(lǐng)域，半導(dǎo)體襯底和外延技術(shù)都發(fā)揮著不可或缺的作用。它們?yōu)橹圃旄咝阅?、高可靠性的半?dǎo)體器件提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體襯底和外延技術(shù)也將不斷進(jìn)步，為未來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新的突破和發(fā)展。
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