菠萝菠萝蜜免费观看_w欧美亚洲愉拍一区二区_yy4480高清影院播放器_欧美东京热不卡视频分三区_亚洲青色在线_野外一级毛片黑人_国产CD婷婷各种道具_成人黄色网站在线观看视频_人妻系列偷拍无码视频_我想看一级毛片免费的

資訊動態(tài) 資訊動態(tài)
曜世小課堂36期——晶圓為什么要拋光?
曜世小課堂36期——晶圓為什么要拋光?
曜世小課堂36期——晶圓為什么要拋光? 2024-03-14

       封裝在暗無天日的小盒子里,只露出幾枚引腳,芯片會看閾值,阻值,電流值,電壓值,就是沒人看它的顏值,我們在制程中,反復(fù)給晶圓打磨拋光,還是為了滿足生產(chǎn)中的平坦化需要,尤其是在每次做光刻時,晶圓的表面一定要極致的平坦,這是因為隨著芯片制程的縮小,光刻機的鏡頭要實現(xiàn)納米級的成像分辨率,就得拼命增大鏡片的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture),但這同時會導(dǎo)致焦深(DoF)的下降,焦深是指光學(xué)成像的聚焦深度,要想保證光刻圖像清晰不失焦,晶圓表面的高低起伏,就必須落在焦深范圍之內(nèi)。

 

       為什么要把晶圓打磨得這么光滑?

      簡單說就是光刻機為了提高成像精度,犧牲了對焦能力,像新一代的EUV光刻機,數(shù)值孔徑0.55,但垂直方向上的焦深,總共只有45納米,光刻時的最佳成像區(qū)間則會更小。假如放上去的晶圓不夠平坦,厚度不平均,表面有起伏,就會導(dǎo)致高低處的光刻出問題。

       當然也不只有光刻才會要求晶圓表面的絲滑,還有很多造芯片的工序,都需要打磨晶圓,濕法刻蝕后要打磨,緊致腐蝕的粗糙面,方便涂膠沉積,淺槽隔離(STI)后要打磨,磨平多余的氧化硅完成溝槽填充,金屬沉積后要打磨,去除溢出的金屬層,防止器件短路。

       因此一枚芯片的誕生,中間要經(jīng)歷很多次打磨來降低晶圓的粗糙度和高低起伏,去除表面多余的物質(zhì),另外晶圓上各種工藝問題導(dǎo)致的表面缺陷(defect),經(jīng)常也要等到每次打磨完成后,才會暴露出來,所以負責研磨的工程師責任重大,他們既是芯片制程中承上啟下的C位,也是生產(chǎn)會議中接盤背鍋的T位,他們既要會濕法刻蝕,又得懂物理輸出,因為芯片廠最主要的拋光技術(shù)。

       晶圓的拋光方法有哪些?

       機械拋光法 :機械拋光是靠切削、材料表面塑性變形去掉被拋光后的凸部而得到平滑面的拋光方法,一般使用油石條、羊毛輪、砂紙等,以手工操作為主,特殊零件如回轉(zhuǎn)體表面,可使用轉(zhuǎn)臺等輔助工具,表面質(zhì)量要求高的可采用超精研拋的方法。超精研拋是采用特制的磨具,在含有磨料的研拋液中,緊壓在工件被加工表面上,作高速旋轉(zhuǎn)運動。利用該技術(shù)可以達到Ra0.008μm的表面粗糙度,是各種拋光方法中高的。光學(xué)鏡片模具常采用這種方法。

       化學(xué)拋光法 :化學(xué)拋光是讓材料在化學(xué)介質(zhì)中表面微觀凸出的部分較凹部分優(yōu)先溶解,從而得到平滑面。這種方法的主要優(yōu)點是不需復(fù)雜設(shè)備,可以拋光形狀復(fù)雜的工件,可以同時拋光很多工件,效率高?;瘜W(xué)拋光的核心問題是拋光液的配制?;瘜W(xué)拋光得到的表面粗糙度一般為數(shù)10μm。

       化學(xué)機械拋光法:前兩種拋光法都有自己獨特的優(yōu)點,若將這兩種方法結(jié)合起來,則可在工藝上達到優(yōu)缺互補的效果?;瘜W(xué)機械拋光采用將機械摩擦和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的工藝,在CMP工作過程中,CMP用的拋光液中的化學(xué)試劑將使被拋光基底材料氧化,生成一層較軟的氧化膜層,然后再通過機械摩擦作用去除氧化膜層,這樣通過反復(fù)的氧化成膜-機械去除過程,從而達到了有效拋光的目的。

       當前化學(xué)機械拋光(CMP)領(lǐng)域面臨一些挑戰(zhàn)和問題,這些問題包括技術(shù)性、經(jīng)濟性和環(huán)境可持續(xù)性等方面:

1. 工藝一致性  :實現(xiàn)CMP過程的高度一致性仍然是一個挑戰(zhàn)。即使在同一生產(chǎn)線上,不同批次之間或不同設(shè)備之間的工藝參數(shù)可能存在微小差異,影響最終產(chǎn)品的一致性。

2. 新材料適應(yīng)性:隨著新材料的不斷涌現(xiàn),CMP技術(shù)需要不斷適應(yīng)新材料的特性。一些先進材料可能對傳統(tǒng)CMP工藝不夠兼容,需要開發(fā)適應(yīng)性更強的拋光液和磨料。

3. 尺寸效應(yīng) :隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小,尺寸效應(yīng)帶來的問題變得更為顯著。在微小尺寸下,表面平整度的要求更高,因此需要更精密的CMP工藝。

4. 材料去除率控制:在一些應(yīng)用中,對不同材料的精確去除率控制變得尤為關(guān)鍵。確保不同層材料在CMP過程中的去除率一致性對于制造高性能器件至關(guān)重要。

5. 環(huán)境友好 :CMP過程中使用的拋光液體和磨料可能包含一些環(huán)境有害的成分。研究和開發(fā)更環(huán)保、可持續(xù)的CMP工藝和材料是一個重要的挑戰(zhàn)。

6. 智能化與自動化:CMP系統(tǒng)的智能化和自動化程度逐漸提高,但仍需應(yīng)對復(fù)雜多變的生產(chǎn)環(huán)境。如何實現(xiàn)更高程度的自動化和智能監(jiān)測,以提高生產(chǎn)效率,是一個需要解決的問題。

7. 成本控制:CMP工藝涉及到高昂的設(shè)備和材料成本。制造商需要在提高工藝性能的同時,努力降低生產(chǎn)成本,以保持市場競爭力。

*文章僅作行業(yè)分享,部分圖片來自互聯(lián)網(wǎng),無法核實真實出處,如涉及侵權(quán),請直接聯(lián)系刪除。


在線留言